RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
73
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
73
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1843
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link