RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3035
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link