RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
60
Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3359
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link