RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3859
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link