RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
66
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1877
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link