RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 60
    Около -107% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.8 left arrow 2,168.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,595.2 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,168.2 left arrow 9.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    941 left arrow 2407

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
модули RAM