RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
60
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2346
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link