RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
60
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2316
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link