RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
13.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1989
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link