RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1989
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link