RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3693
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link