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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3693
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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