RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3075
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link