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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
65
Intorno -195% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
22
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3075
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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