Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,021.5 12.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 47

Около -68% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,575.4 17.2
Скорость записи, Гб/сек

2,021.5 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

563 3090

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM