RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,021.5
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,575.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,021.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
563
3779
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link