Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB против Kingston KYXC0V-MID 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.2

Среднее значение в тестах

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MID 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 52

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.5 1,906.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 36
Скорость чтения, Гб/сек

4,672.4 15.2
Скорость записи, Гб/сек

1,906.4 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

698 2903

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905471-030.A00LF 8GB

Kingston 9905471-030.A00LF 8GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Kingston 9905744-027.A00G 16GB

Kingston 9905744-027.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

модули RAM