RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3195
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link