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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
16.7
写入速度,GB/s
2,622.0
13.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3195
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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