RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
76
77
Около -1% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
76
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1718
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link