RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2546
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link