RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2938
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link