RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link