RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link