RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 77
    Около -148% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 15.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 3650

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
модули RAM