RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3306
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link