Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 11.9

Среднее значение в тестах

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 77

Около -108% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 14.7
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2946

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

модули RAM