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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
3,405.2
14.7
写入速度,GB/s
2,622.0
11.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2946
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. 16GB
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