RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
77
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3908
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link