RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3672
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link