RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3712
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link