RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2576
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link