RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2576
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link