RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2960
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link