RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3388
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link