RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
77
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2058
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link