RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3510
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link