RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
77
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1956
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM3B8G2H1866K10S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link