RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
77
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1956
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link