RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2901
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link