RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2901
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link