RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3091
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link