RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link