RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2834
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link