RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2509
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link