RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2509
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link