RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2562
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link