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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
77
Intorno -133% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
33
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2562
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
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