RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3261
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link