RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3010
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link